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1. Identificação:-
Nome:- Cesar Boschetti
Nascimento:- 28/10/1953 em Campinas-SP
Filiação:- Helio Felipe Boschetti e Maria Borges Boschetti
Estado Civil :- Casado
Endereço Residencial:-
Rua Diogo Pinto da Cunha, 126 - Condomínio Portal da Serra, Urbanova I
CEP 12244.090 São José dos Campos-SP
FONE:- 3949-1377
e.mail:- cesar@las.inpe.br ou
c_boschetti@estadao.com.br
Página pessoal:- http://www.las.inpe.br/~cesar/welcome.html
Endereço Profissional:-
Laboratório Associado de Sensores e Materiais
INPE - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
MCT - Ministério da Ciência e Tecnologia
Av. Dos Astronautas, 1758 - CEP 12221.970 - São José dos Campos-SP
C.P. 515;
FONE:- 3945 66 97
2. Atividade Principal
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE; São José dos Campos-SP
Laboratório Associado de Sensores e Materiais - LAS
Tecnologista Sênior III
- Pesquisa e Desenvolvimento de Dispositivos Sensores de
Infravermelho;
- Crescimento Epitaxial de Cristais Semicondutores do Grupo
IV-VI por MBE;
- Caracterização de camadas cristalinas por Raio-X, Medidas
Elétricas e Microscopia;
- Caracterização Óptica de Dispositivos sensores;
- Webdesigner Responsável pela Home Page do Laboratório.
3. Formação Acadêmica
Graduação:- Bel. em Física pelo Instituto de Física da USP - Universidade de
São Paulo; 1978.
Estágio:- Caracterização de Fotodiodos de Silício; LME-Laboratório de
Micro-Eletrônica da Escola Politécnica da USP; 2º Semestre, 1978.
Mestrado:- Fabricação e Caracterização de Detectores Fotocondutivos de Pb1-xSnxTe.
Tese em Eletrônica e Telecomunicações, opção Materiais, INPE- Instituto Nacional de
Pesquisas Espaciais; 1983.
Doutorado:- Heteroestruturas de Semicondutores IV-VI sobre Si Obtidas por MBE para
aplicação em Detectores de Infravermelho. Departamento de Eng. Eletrônica e
Computação do ITA-Instituto Tecnológico da Aeronáutica, 2000.
4. Idiomas
Inglês:- fala, lê e escreve.
Francês:- leitura apenas.
Espanhol:- leitura apenas.
Italiano:- leitura apenas.
5. Publicações em revistas com corpo editorial
- C. BOSCHETTI, S. P. CUNHA, I. N. BANDEIRA.
"Fabricação de Dispositivos Optoeletrônicos par o Infravermelho Termal por
Epitaxia de Paredes Quentes (HWE)". Revista de AplicaÇòes de Vácuo, Vol. 5 (1, 2),
331-343, (1985)
- C. BOSCHETTI AND I. N. BANDEIRA. "Fabricação de
Fotocondutores para Operação no Infravermelho Termal". Revista de Física Aplicada
e Instrumentação, vol. 1 (2), 134-151, (1986).
- C. BOSCHETTI, C. A. YING, E. ABRAMOF, I. N. BANDEIRA, M.
DIAS DA SILVA, P. H. O. RAPPL, I. C. DA CUNHA, S. O. FERREIRA". Revista da
Associação Brasileira de Engenharia Militar (ABEM), Vol. 38 (90), 74-79, (1987)
- C. Boschetti, E. Abramof, S.O. Ferreira, I.N. Bandeira and
S.P. da Cunha, "Construction of Optoeletronic Devices by Hot Wall Epitaxy".
Revista de Física Aplicada e Instrumentação 2 (3), 207-220 (1987).
- E. ABRAMOF, S.O. FERREIRA, C. BOSCHETTI AND I.N. BANDEIRA,
"Characterization of Pb0.8Sn0.2Te Films Grown on KCl Substrates
by Hot Wall Epitaxy". J. Cryst. Growth, 96, 637-644, (1989).
- E. ABRAMOF, S.O. FERREIRA, C. BOSCHETTI AND I.N. BANDEIRA,
"Influence of Interdiffusion on n-PbTe/p-Pb0.8Sn0.2Te
Heterojunction Diodes". Infrared Phys., 30, 85, (1990).
- C. BOSCHETTI, P. H. O. RAPPL, A. Y. UETA AND I. N. BANDEIRA.
"Growth of Narrow Gap Epilayers and p-n Junctions on Silicon for Infrared Detectors
Arrays". Infrared Phys. Vol. 34 (3), 281-187, (1993).
- C. BOSCHETTI, E. ABRAMOF, P. H. O. RAPPL, I. N. BANDEIRA, P.
MOTISUKE, M. A. HAYASHI AND L. P. CARDOSO. "Characterization of PbTe Epitaxial Layers
Grown on BaF2/CaF2/Si Structures". Braz. J. of Physics, vol. 26
(1), 406-409, (1996).
- S.O. FERREIRA, E. ABRAMOF, P.H.O. RAPPL, A.Y. Ueta, H.
CLOSS, C. BOSCHETTI, P. MOTISUKE and I.N. BANDEIRA, "X-Ray Characterization of
PbTe/SnTe Superlattices". Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 484, 389, (1998).
- E. ABRAMOF, S.O. FERREIRA, P.H.O. RAPPL, A.Y. Ueta, H.
CLOSS, C. BOSCHETTI, P. MOTISUKE and I.N. BANDEIRA, "High Resolution X-ray
reflectometry and Diffraction of CaF2/Si(111) structures grown by Molecular
Beam Epitaxy". Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 484, 661, (1998).
- P.H.O. RAPPL, H. CLOSS, S.O. FERREIRA, E. ABRAMOF, C.
BOSCHETTI, P. MOTISUKE, A.Y. Ueta and I.N. BANDEIRA, "Molecular Beam Epitaxy of high
quality Pb1-xSnxTe layers with 0 = x = 1".
J. Cryst. Growth, 191, 466, (1998).
- S.O. FERREIRA, E. ABRAMOF, P.H.O. RAPPL, A.Y. Ueta, H.
CLOSS, C. BOSCHETTI, P. MOTISUKE and I.N. BANDEIRA, "Reciprocal Space Maps of
PbTe/SnTe Superlattices". J. Appl. Phys, 84 (7), 3650, (1998).
- S.O. FERREIRA, E. ABRAMOF, P. Motisuke, P.H.O. RAPPL, A.Y.
Ueta, H. CLOSS, C. BOSCHETTI and I.N. BANDEIRA, "Band crossing evidence in PbSnTe
observed by optical transmission measurements". Braz. J. Phys., 29 (4), 771, (1999).
- S.O. FERREIRA, E. ABRAMOF, P. MOTISUKE, P.H.O. RAPPL, A.Y.
UETA, H. CLOSS, C. BOSCHETTI and I.N. BANDEIRA, "Experimental observation of band
inversion in the PbSnTe system". J. Appl. Phys., 86, 7198, (1999).
6. Bolsas para Estágio de Curta Duração
- BOLSA CNPQ:- Processamento de semicondutores em alto
vácuo - INSTITUT FÜR EXPERIMENTALPHISIK - JOHANNES KEPLER UNIVERSITÄT - Linz- Austria;
24/10-16/12 de 1988.
- BOLSA CNPQ-RHAE:- Fabricação de dispositivos
optoeletrônicos - SWISS FEDERAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY - Zurich- Suiça; 26/09-20/11 de
1991.
- BOLSA CNPQ-RHAE:- Fabricação de nanoestruturas em
semicondutores - LAB. DE MICROESTRUCTURES ET DE MICROELECTRONIQUE - CENTRE NATIONAL DE LA
RECHERCHE SCIENTIFIQUE - Bagneux - Paris - França; 31/03 - 30/04 de 1993.
7. Trabalhos Apresentados em Congressos e Simpósios
- C. BOSCHETTI E I. N. BANDEIRA. "Fabricação de
Fotocondutores para operação no infravermelho termal". 35ª Reunião Anual
da SBPC, 06-13 de Julho de 1983, Belém-PA
- C. BOSCHETTI E I. N. BANDEIRA. "Construção de um
Sistema de Crescimento Epitaxial por Evaporação Colimada (HWE - Hot Wall Epitaxy) para
Compostos Semicondutores dos Grupos II-VI e IV-VI". 37ª Reunião Anual da SBPC,
10-17 de Julho de 1985, Belo Horizonte-MG.
- C. BOSCHETTI. "Fabricação de Dispositivos
Opto-Eletrônicos para o Infravermelho Termal por Crescimento Epitaxial por Evaporação
Colimada (HWE)". VI CBRAVIC - Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na
Indústria e na Ciência. 22-24 de Julho de 1985, IME-Instituto Militar de Engenharia, Rio
de janeiro-RJ.
- S. O. FERREIRA, C. BOSCHETTI E I. N. BANDEIRA. "Projeto
e Construção de Um Sistema para Heteroepitaxia de Compostos IV-VI sobre Silício (111).
XI CBRAVIC- Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência. 25
de Julho de 1990, IFUSP, São Paulo-SP.
- I. N. BANDEIRA, A. Y. UETA, P. H. O. RAPPL E C. BOSCHETTI.
"Crescimento de Compostos IV-VI sobre Si para Fabricação de Detectores no
Infravermelho". XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. 05-09 de Maio
de 1992; Caxambú-MG.
- C. BOSCHETTI, E. ABRAMOF, P. H. O. RAPPL, I. N. BANDEIRA, P.
MOTISUKE, M. A. HAYASHI AND L. P. CARDOSO. "Epitaxial Growth of IV-VI Compounds for
Thermal Infrared Detectors". Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Julho de
1995; Rio de Janeiro-RJ.
- S. O. FERREIRA, E. ABRAMOF, C. BOSCHETTI, H. CLOSS, I. N.
BANDEIRA, P. H. O. RAPPL. "Determination of The Optimum Parameters for MBE Growth of
Fluorides on Silicon(111)". XVII CBRAVIC-Congresso Brasileiro de Aplicações de
Vácuo na Indústria e na Ciência. 10-12 de Julho de 1996, Belo Horizonte-MG.
- S. O. FERREIRA, E. ABRAMOF, C. BOSCHETTI, H. CLOSS, I. N.
BANDEIRA E P. H. O. RAPPL. "Crescimento Epitaxial por Feixe Molecular (MBE) de
Camadas de PbSnTe sobre Si(111)". XIX Encontro Nacional de Física da Matéria
Condensada. 02-06 de Setembro de 1996; Águas de Lindóia-SP.
- E. ABRAMOF, S. O. FERREIRA, P. H. O. RAPPL, H. CLOSS, C.
BOSCHETTI E I. N. BANDEIRA. "Análise de Deformações em Camadas de BaF2/CaF2
Crescidas sobre Si(111) por MBE". XIX Encontro Nacional de Física da Matéria
Condensada. 02-06 de Setembro de 1996; Águas de Lindóia-SP.
- P. H. O. RAPPL, E. ABRAMOF, S. O. FERREIRA, H. CLOSS, C.
BOSCHETTI E I. N. BANDEIRA. "Determinação por RHEED da Composição de Ligas
Semicondutoras de IV-VI crescidas por MBE". XIX Encontro Nacional de Física da
Matéria Condensada. 02-06 de Setembro de 1996; Águas de Lindóia-SP.
8. Cursos de Extensão Universitária
- TECNOLOGIA DE VÁCUO. Curso da Sociedade Brasileira de
Vácuo ministrado no LME-Laboratório de Micro-Eletrônica da Escola Politécnica da USP,
06/08-28/09 de 1979; São Paulo-SP.
- LASERS SEMICONDUTORES E DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS. Curso
do LPD-Laboratório de Pesquisa em Dispositivos do Instituto de Física "Gleb
Wataghin" da UNICAMP em colaboração com o CPqD- Centro de Pesquisas e
Desenvolvimento da TELEBRAS; 30/07-03/08 de 1984; Campinas-SP.
Cesar Boschetti - LAS-INPE |
